• <acronym id="6i1og"><label id="6i1og"></label></acronym>
  • <tr id="6i1og"><s id="6i1og"><tt id="6i1og"></tt></s></tr>
  • <p id="6i1og"><label id="6i1og"></label></p>

    <acronym id="6i1og"></acronym><pre id="6i1og"><label id="6i1og"></label></pre>

  • <pre id="6i1og"><label id="6i1og"></label></pre>
    聯系我們:010-56993369

    技術支持

    SUPPORT

    聯系我們

    電話:010-56993369

    郵箱:sales@cengol.com

    首頁 > 技術支持 > 資料下載 >
    產品類別 型號 產品描述 資料下載
    SiC單晶片 6英寸導電型單晶襯底

    小批量試產產品,禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場,用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。

    SiC外延片 4英寸N型SiC外延片

    禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場,用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。

    SiC外延片 6英寸N型SiC外延片

    禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場,用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。

    SiC SBD CGC1S06506

    電壓650V,電流6A,TO-220封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

    SiC SBD CGF1S06506

    電壓650V,電流6A,TO-263封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

    SiC SBD CGC1S06508

    電壓650V,電流8A,TO-220封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

    SiC SBD CGC1S06510

    電壓650V,電流10A,TO-220封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

    SiC SBD CGF1S06510

    電壓650V,電流10A,TO-263封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

    SiC SBD CGJ1S06510

    電壓650V,電流10A,TO-220F封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

    SiC SBD CGC1S06515

    電壓650V,電流15A,TO-220封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

    地址:北京經濟技術開發區通惠干渠路17號院
    郵編:100176
    電話:010-56993369
    郵箱:sales@cengol.com

    版權所有:©2019 世紀金光 ALL RIGHTS RESERVED 京ICP備2021006800號-1
    乱人伦人妻中文字幕不卡
  • <acronym id="6i1og"><label id="6i1og"></label></acronym>
  • <tr id="6i1og"><s id="6i1og"><tt id="6i1og"></tt></s></tr>
  • <p id="6i1og"><label id="6i1og"></label></p>

    <acronym id="6i1og"></acronym><pre id="6i1og"><label id="6i1og"></label></pre>

  • <pre id="6i1og"><label id="6i1og"></label></pre>